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等離子氣相沉積爐實驗室等離子化學氣相沉積設備

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產品簡介

等離子氣相沉積爐實驗室等離子化學氣相沉積設備詳細介紹等離子氣相沉積爐為洛陽西格馬高溫電爐生產的實驗室等離子化學氣相沉積設備，又稱等離子增強化學氣相沉積爐

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等離子氣相沉積爐實驗室等離子化學氣相沉積設備

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等離子氣相沉積爐為洛陽西格馬高溫電爐生產的實驗室等離子化學氣相沉積設備，又稱等離子增強化學氣相沉積爐。PECVD等離子氣相沉積爐可用于薄膜生長等工藝。
等離子氣相沉積爐是借助射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子字體化學活性很強，很容易發生反應，在基片沉積出所期望的薄膜。為了使化學反應能在較低的溫度下進行，利用了等離子體的活性來促進反應。該爐具有溫場均衡、表面溫度低、升降溫度速率快、節能等優點。是高校、科研院所、工礦企業做等離子體增強CVD實驗用的高溫設備。
工藝中由于等離子體中高速運行的電子撞擊到中性的反應氣體分子，就會使中性反應氣體分子變成碎片或處于激活的狀態容易發生反應；借助射頻等使含有薄膜組成原子的氣體，在局部形成離子體，而等離子體化學活性很強，很容易反應，在基片上沉積出所期望的薄膜；具有基本溫度低、沉積速率快、成膜質量好、針孔較少、不易龜裂等優點；

PECVD：SGM1200度滑膛管式+等離子射頻電源+混氣系統

PECVD：SGM1200度滑膛管式+低溫預加熱爐+等離子射頻電源+混氣系統

PECVD技術特點

1、通過射頻電源把石英真空室內的氣體變為離子態

2、PECVD比普通CVD進行化學氣相沉積所需的溫度更低

3、可以通過射頻電源的頻率來控制所沉積的薄膜的應力大小

4、PECVD比普通CVD進行化學氣相沉積速率高、均勻性好、一致性和穩定性高

PECVD特點

1、整機采用SUS304不銹鋼材質，流線型外觀，真空吸附成型的優質高純氧化鋁多晶纖維固化爐膛，保溫性能好。

2、爐子底部裝有一對滑軌，移動平穩，可以手動從一端滑向另一端，實現快速的加熱和冷卻。爐蓋可開啟，可以實時觀察加熱的物料。

3、采用高純石英管，高溫下化學穩定性強，耐腐蝕，熱膨脹系數極小。

4、采用SUS304不銹鋼快速法蘭，通過用高溫“O"型圈緊密密封可獲得高真空，一個卡箍就能完成法蘭的連接，放、取物料方便快捷。

5、加熱元件采用首鋼或康奈爾發熱絲，表面負荷高、經久耐用。設計溫度1200℃，升溫速率10℃/min。

6、可選配多路質量流量計，數字顯示、氣體流量自動控制；內置不銹鋼混氣箱，每路氣體管路均配有逆止閥，可通過控制面板上的旋鈕來調節氣體流量。

7、等離子射頻電源：大射頻功率達500W，輸出頻率13.56MHz±0.005%，輸入電源 208-240VAC, 單相50/60Hz。

技術參數

型號	SGM PECVD1200-2.5/20-2M-LV	SGM PECVD1200-5/20-4M-LV-P	SGM PECVD1200-6/40-2M-HV	SGM PECVD1200-8/40-4M-HV
設計溫度（℃）	1200	1200	1200	1200
控溫精度（℃）	±1	±1	±1	±1
加熱區直徑（mm）	25	50	60	80
加熱區長度（mm）	200	200	400	400
加熱管長度（mm）	450	450	1000	1000
恒溫區長度（mm）	80	80	150	150
額定電壓（V)	220	220	220	220
額定功率(KVA)	1.2	1.2	3	3
射頻電源功率（W)	5~300	5~300	5~500	5~500
真空機組	SGM PECVD-101	SGM PECVD-101	SGM PECVD-104	SGM PECVD-104
供氣系統	SGM PECVD-2F	SGM PECVD-4F	SGM PECVD-2M	SGM PECVD-4M