痕量低濃度氮氧化物分析儀它與傳統紅外光譜吸收技術的不同之處在于，半導體激光光譜寬度遠小于氣體吸收譜線的展寬。因此，DLAS技術是一種高分辨率的光譜吸收技術，半導體激光穿過被測氣體的光強衰減可用朗伯-比爾（Lambert-Beer）定律表述式得出，關系式表明氣體濃度越高，對光的衰減也越大。因此，可通過測量氣體對激光的衰減來測量氣體的濃度。

痕量低濃度氮氧化物分析儀多應用于存在化學反應的生產過程，例如氨氣合成流程中，在使用溫度儀表和壓力儀表控制反應環境以外，還需要使用氣體分析儀表來分析進氣的化學成分，控制氫氣和氨氣之間的合理比例，這樣才能大限度的提高氨氣合成率，而獲得較高的生產效率。在鍋爐燃燒控制中也起到了非常重要的作用。

單光路：從光源發出單束紅外光，利用切光裝置將紅外光調制成不同波長的光束，輪流通過分析氣室進入檢測器。

質譜分析法是利用不同離子在電場或者磁場中運動軌跡的不同，把離子按質荷比分離而得到質量圖譜，可以得到樣品的定性定量結果。質譜儀按照常用的質量分離器不同可分為掃描磁扇式磁場質譜儀和四極質譜儀，飛行時間質譜儀等幾種類型。目前工業應用上通常采用的是掃描磁扇式質譜儀。四極質譜儀的靈敏度高，適合實驗室或科學研究。掃描磁扇式的穩定性和重復性較高，適合工業應用。

不僅在一臺氣體分析儀器內部具備一套化工工藝過程的同樣情況和條件，而且，有時在儀器前級的樣氣預處理部分（含取樣系統）也同樣是一套化工工藝過程。如遇到較復雜、較特殊的工藝技術條件的話，那么樣氣預處理系統所體現的化工過程還是非常復雜的，相當于一個小化工廠的凈化處理工藝過程。由此可見，氣體分析的過程就是在了解并掌握整個化工過程系統條件的前提下，嚴格控制各種影響測定條件的因素，從而得到工藝及管理人員所需要的準確數據。

    在儀器應用的過程中，影響因素種類較多且變化較復雜，而要想有效地控制這些影響因素及排除干擾測定的因素則困難比較大。例如微量氧的測定，不但要嚴格控制系統材質和密封，而且系統的潔凈等諸多因素也必須逐一解決好，否則，氧成分分析不會得到準確的測定結果。而對于氣體中微量水含量的測定，除了考慮以上提到的各種影響因素外，還必須考慮到樣氣中的水在管道內的吸附平衡問題，而這一問題的妥善處理必須依靠反復試驗，了解其變化情況和規律，掌握其中的操作技術，以便得到準確無誤的結果。