紅外截止濾光片 (IRCF) 是利用精密光學(xué)鍍膜技術(shù)在光學(xué)基片上交替鍍上高低折射率的光學(xué)膜, 實(shí)現(xiàn)可見光區(qū)（400nm-630nm）高透, 近紅外（700nm-1100nm）截止的光學(xué)濾光片, 主要應(yīng)用于可拍照手機(jī)攝像頭、電腦內(nèi)置攝像頭、汽車攝像頭和安防攝像頭等數(shù)碼成像領(lǐng)域, 用于消除紅外光線對(duì) CCD/CMOS 成像的影響. 通過在成像系統(tǒng)中加入紅外截止濾光片, 阻擋該部分干擾成像質(zhì)量的紅外光, 可以使所成影像更加符合人眼的感覺. 上海伯東某客戶為精密光學(xué)鍍膜產(chǎn)品生產(chǎn)商, 經(jīng)過伯東推薦選用國產(chǎn)鍍膜機(jī)加裝美國進(jìn)口 KRi 霍爾離子源完成 IR-cut 工藝過程, 保證工藝效果, 提高生產(chǎn)效率.

KRI 離子源用于IR-cut紅外濾光片制備

1. 應(yīng)用方向: 離子清洗, 輔助沉積

2. 鍍膜機(jī)型: 1米7 的大型蒸鍍?cè)O(shè)備, 配置美國 KRi 霍爾離子源 eH 3000

3. 測(cè)試環(huán)境: 80C / 80% 濕度, 85C / 95% 濕度, 連續(xù) 1,500 小時(shí)高溫高濕嚴(yán)苛環(huán)境測(cè)試

4. 鍍膜材料: Ti305+Si02

    結(jié)果表明采用上海伯東美國進(jìn)口 KRI 霍爾離子源, 可以獲得較高折射率的TI3O5膜層, 通過多次驗(yàn)證, KRI 離子源輔助鍍膜可以獲得穩(wěn)定的膜層結(jié)構(gòu).  

    美國 KRI 霍爾離子源 eH 系列緊湊設(shè)計(jì), 高電流低能量寬束型離子源, 提供原子等級(jí)的細(xì)微加工能力, 霍爾離子源 eH 可以以納米精度來處理薄膜及表面, 多種型號(hào)滿足科研及工業(yè), 半導(dǎo)體應(yīng)用. 霍爾離子源高電流提高鍍膜沉積速率, 低能量減少離子轟擊損傷表面, 寬束設(shè)計(jì)提高吞吐量和覆蓋沉積區(qū). 整體易操作, 易維護(hù).

霍爾離子源 eH 系列在售型號(hào):

   1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.

上海伯東同時(shí)提供真空系統(tǒng)所需的渦輪分子泵, 真空規(guī), 高真空插板閥等產(chǎn)品, 協(xié)助客戶生產(chǎn)研發(fā)高質(zhì)量的真空系統(tǒng).
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域.

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上海伯東: 羅小姐