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超g分辨肖特基場發射掃描電鏡 SU7000

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上海維翰光電科技有限公司
2022-12-09 13:22:16
上海
239

【簡單介紹】

產品說明： 1.采用*異的成像技術 SU7000可以迅速獲取從大視野quan貌圖到表面微細結構等多種檢測信號。新設計的電子光學系統和檢測系統，使得裝置可以同時接收二次電子和背散射電子...

【詳細說明】

1.采用*異的成像技術 SU7000可以迅速獲取從大視野quan貌圖到表面微細結構等多種檢測信號。新設計的電子光學系統和檢測系統，使得裝置可以同時接收二次電子和背散射電子等信號，用戶可以在短時間內獲得更*面的樣品信息。 2.采用多通道成像技術隨著用戶對成像需求的不斷增長，SU7000特新增了幾種探測器，還引進了相應的成像功能。SU7000*多可同時顯示和保存

1.采用*異的成像技術
SU7000可以迅速獲取從大視野quan貌圖到表面微細結構等多種檢測信號。新設計的電子光學系統和檢測系統，使得裝置可以同時接收二次電子和背散射電子等信號，用戶可以在短時間內獲得更*面的樣品信息。
2.采用多通道成像技術
隨著用戶對成像需求的不斷增長，SU7000特新增了幾種探測器，還引進了相應的成像功能。SU7000*多可同時顯示和保存6通道信號。實現了獲得樣品信息的*大化。
3.支持不同形狀樣品、多種觀察方法
1.大型樣品觀察；2.低真空觀察；3.超低溫觀察；4.實時觀察
等所需的樣品倉和真空系統都shi分完備，觀察方法也是yi應俱quam。
4.支持微納解析
采用肖特基發射電子槍，*大束流可達到200 nA，適用于各種微納解析。樣品倉形狀和接口設置支持EDX分析、EBSD、陰極熒光分析等，接口設備可通過選配附件滿足各種特s需求。
成像能力
追求信息*大化的檢測系統
隨著用戶對樣品數據的需求更加多元化，對檢測系統在短時間內捕捉更多的信息提出了更高的要求。SU7000的檢測系統可以在不改變WD等條件的前提下，更*效地獲取形貌、成分、晶體學以及發光等信息。真正實現了更快速、更*面的信息收集。

同一條件觀察
樣品：包裹有機物的金屬棒

通過UD、MD、LD探測器同時采集信號的應用實例（加速電壓：1 kV）

通過UD、MD、LD探測器可以同時采集信號，UD可獲取表面微細形狀信息，MD可獲取表面有機物包覆狀態信息，LD可獲取整體凹凸形貌信息。在同一個條件下，實現了獲取信息的*大化。
采用可多通道顯示的GUI設計
優化信號顯示功能
成像單元在信號顯示上也作了*新升級。用戶可根據觀察需求，選擇不同的視場角和通道數。
單屏*多可同時顯示4通道信號。
導航功能(SEM MAP)可以輕松捕捉到顯示樣品倉內信息的CCD相機圖像和相機拍攝到的樣品圖像，快速顯示目標圖像。
使用雙屏顯示時，可在一個顯示屏上雙通道顯示1,280×960像素的圖像，另一個顯示屏專門用來顯示信號，*多可同時顯示6通道信號。
高自由度的界面布局
使用單屏時，可以單通道、雙通道、四通道顯示樣品信息，也可以顯示CCD相機圖像、樣品臺圖像/SEM MAP圖像等。而且操作畫面上的工具欄可以任意移動、添加和刪除。

支持雙屏顯示
1st顯示屏專門用來顯示圖像，2nd顯示屏用來顯示操作面板畫面。上圖左圖（1st顯示屏）是通過SU7000觀察到的鋼鐵中非金屬夾雜物的圖片。圖中清晰呈現出
UD、LD、UVD、MD、PD-BSED5個探測器捕捉到的圖像以及SEM MAP圖。右圖（2nd顯示屏）將操作面板菜單和圖像歷史記錄窗口在同一個畫面中顯示，界面
布局清晰明了。在實現實時監控圖像的同時，操作性能也得到了進一步提升。
可擴展觀察和分析方法
樣品倉和馬達臺

樣品倉外觀標配18個附件接口馬達臺外觀XY軸可移動距離為135×100 mm

樣品倉可搭載*大直徑為φ 200 mm；*高80 mm的樣品。大開倉設計，標配18個附件接口。樣品臺可搭載XY軸*大移動距離為135×100 mm，*重2 kg的樣品。搭載大型樣品和功能樣品臺*全不成問題。

支持動態觀察的檢測系統

SU7000可用于環境改變的動態觀察。低真空觀察時，可以選用PD-BSED（背散射電子探測器）、UVD、MD等各種探測器(**)。

低真空環境的探測器選擇

左圖為通過MD（背散射電子），右圖為通過UVD（二次電子）探測器觀察到的金屬氧化物纖維的情況。兩張圖分別清晰地呈現出氧化物的分散狀態和纖維的堆積情況。

PD-BSED：響應速度提高

左圖是以一般的響應速度，約每兩秒掃描一次得到的圖像；右圖抑制了圖像的漂移，使得整體的畫質得到了大幅提升。隨著響應速度的提高，更適用于In-Situ觀察。

技術參數

項目			內容
圖像分辨率	二次電子分辨率		0.8 nm/15 kV
圖像分辨率	二次電子分辨率		0.9 nm/1 kV
放大倍率			20～2,000,000 x
電子槍	發射體		ZrO/W熱場發射（肖特基熱場發射）
	加速電壓		0.1～30 kV （步進：0.01 kV）
	束流		*大200 nA
探測器	標準探測器		UD （上探測器)
			MD （中探測器）
			LD （下探測器)
	選配探測器*1		PD-BSED (半導體式背散射電子探測器）
	選配探測器*1		UVD（高靈敏度低真空探測器）
低真空模式*1	樣品倉壓力范圍		5～300 Pa
低真空模式*1	可使用探測器		PD-BSED, UVD, UD, MD, LD
馬達臺	馬達臺控制		5軸馬達驅動
	移動范圍	X	0～135 mm
		Y	0～100 mm
		Z（WD）	1.5～40 mm
		T（傾斜角）	-5～70°
		R（旋轉角）	360°
	樣品尺寸		大直徑：φ200 mm, 大高度：80 mm
顯示器*1			23英寸LCD （1,920×1,080）, 支持雙屏
圖像顯示模式	全屏顯示模式		1,280×960像素顯示
	單屏顯示模式		800×600像素顯示
	雙屏顯示模式		800×600像素顯示、1,280×960像素顯示 *2
	四屏顯示模式		640×480像素顯示
	六屏顯示模式*2		640×480像素顯示 *2
圖像數據保存	保存圖像尺寸		640×480、1,280×960、2,560×1,920、5,120×3,840、10,240×7,680
選配附件			能譜儀（EDX）
			X射線波譜儀（WDX）
			電子背散射衍射（EBSD）
			陰極熒光探測器（CL)
			冷凍傳輸系統
			各種功能樣品臺

*1為選配項。
*2支持雙屏顯示。


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