Mattson二手刻蝕設(shè)備ParadigmE于2012年開始使用，針對于12寸晶圓的刻蝕處理。

基于獲得的感應(yīng)耦合等離子體（ICP）和接地法拉第屏蔽源設(shè)計(jì)，paradigmE等離子體蝕刻系統(tǒng)具有獨(dú)立控制離子能量和離子密度的能力。

paradigmE XP系列產(chǎn)品對晶圓器件具有優(yōu)異的腐蝕選擇性和低等離子體損傷，廣泛用于半導(dǎo)體前端和后端制造中的薄膜腐蝕。

paradigmE PAD系列產(chǎn)品具有高蝕刻率、低等離子體損傷和低耗材成本的優(yōu)點(diǎn)，是量產(chǎn)中的ICP PAD蝕刻機(jī)。

我們的paradigmE等離子刻蝕系統(tǒng)在前沿存儲器和邏輯半導(dǎo)體制造領(lǐng)域表現(xiàn)出了高性能、高可靠性和低擁有成本。