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卓知科儀（北京）技術有限公司
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TERAVIL提供的光纖耦合太赫茲發射器和探測器專為寬帶操作而設計，可用于標準時域。
【描述】
TERAVIL提供的光纖耦合太赫茲發射器和檢測器專為寬帶操作而設計，可以在標準時域中使用。
根據泵浦激光器的波長，可以使用低溫生長的GaAs（LT-GaAs）或GaBiAs作為光電導體。材料具有出色的靈敏度，可檢測的波長范圍約為。800 nm和1060 nm，電子壽命短于1 ps。結果，可以產生和檢測具有高達5 THz的寬光譜的超短半周期THz脈沖。泵浦束纖維的輸送消除了費時的調整，并確保了的實驗靈活性。例如，此功能允許在不同的幾何形狀之間進行快速便捷的切換：透射，反射等。太赫茲發射器和檢測器安裝在與標準1英寸光學支架兼容的緊湊型外殼中（圖1）。檢查每個設備的性能，并為客戶提供技術護照，包括測試報告。
基于LT-GaAs或GaBiAs光電導材料
針對800 nm或1060 nm左右的波長進行了優化
光譜范圍廣，噪音低
隨附技術護照和測試報告
時間分辨寬帶太赫茲光譜
光學泵浦-THz探針光譜
適用于全光纖系統解決方案
圖1.安裝在1“光學支架上的FC-Emitter（或探測器）
【集成硅透鏡】
太赫茲發射器和檢波器隨附有由高電阻率硅制成的集成式超半球形透鏡，該透鏡與PCA相連，可提高太赫茲波向自由空間的輻射效率。TERAVIL提供兩種標準類型的鏡頭：用于準直或發散的太赫茲光束輸出。準直太赫茲光束輸出的優點是設置簡單，因為實驗中不需要在太赫茲發射器和檢測器之間附加光學組件。但是，該設計具有太赫茲光束的較大球差，這會影響聚焦。在第二種情況下，鏡片的設計假定PCA位于非平面點，這大大降低了球面像差。結果，可以實現太赫茲光束的幾乎衍射極限光斑。
光電導天線是專門為太赫茲發射器或太赫茲檢測器設計的。GaAs的襯底包含經蝕刻的GaBiAs外延有源層，以實現高耐暗性。材料的高光敏性允許使用低平均功率的光脈沖進行激發。使用AuGeNi金屬化技術在其表面上形成共面的Hertzian型偶極天線結構（圖2）。金屬觸點之間的間隙在探測器情況下類似于激光光斑直徑，在發射器情況下更大。光電導芯片安裝在PCB上，并放置在設備的金屬外殼內。外殼背面的SMA插座用于將DC或AC偏置連接到THz發射器，或者將鎖相放大器輸入連接到THz檢測器。
圖2.微帶天線圖：（a）發射器，（b）檢測器（所有尺寸均以微米為單位）
類型 | 發射器 | 探測器3) | ||
EMT-08-FC | EMT-10-FC | DET-08-FC | DET-10-FC | |
光導天線 | ||||
光導材料 | LT-GaAs | GaBiAs | LT-GaAs | GaBiAs |
晶圓的尺寸 | 5 × 1.5 mm | |||
厚度 | 600 µm | |||
天線類型 | 帶狀傳輸線 | 偶極 | ||
偏置電壓 | 50 V，典型值40 V. | |||
太赫茲中心評率 | ~0.5 THz | 0.5 THz | ||
太赫茲檢測帶寬 | – | 高 達 5 THz | ||
集成聚焦鏡頭 | ||||
材料l | HRFZ-silicon | |||
幾何形狀 | 超半球 | |||
太赫茲光束輸出 | 準直或發散 | – | ||
輸出光束 | ||||
波長 | 800±40 nm | 1060±40 nm | 800±40 nm | 1060±40 nm |
光纖長度 1? | 1±0.1 m | |||
光纖輸入的光功率 2? | <100 mW | |||
光纖連接器 | FC/PC | |||
光纖傳輸
TERAVIL提供零色散光纖。在這種光纖中，飛秒脈沖保持其形式，并且脈沖持續時間在光纖的輸入和輸出上沒有太大差別。激光輻射通過FC / PC 光纖連接器傳輸。它使用固定在太赫茲發射器和太赫茲探測器外殼內的透鏡聚焦到PCA上。
描述 類型 注釋 | ||
用于800 nm波長的光纖耦合太赫茲探測器 |
EMT-8-FC | 包括Si鏡頭，帶FC PC連接器的光纖，帶BNC連接器的同軸電纜 |
用于800 nm波長的光纖耦合太赫茲探測器 |
DET-8-FC | 包括Si鏡頭，帶FC PC連接器的光纖，帶BNC連接器的同軸電纜 包括Si鏡頭，帶FC PC連接器的光纖，帶 |
用于1060 nm波長的光纖耦合太赫茲發射器 |
EMT-10-FC | BNC連接器的同軸電纜 |
用于1060 nm波長的光纖耦合太赫茲探測器 |
DET-10-FC | 包括Si鏡頭，帶FC / PC連接器的光纖，帶BNC連接器的同軸電纜 |
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