AD-230LP是一種原子層沉積（ALD）系統，能夠在原子水平上控制薄膜厚度。有機金屬原料和氧化劑交替供給反應室，僅通過表面反應進行薄膜沉積。該系統具有負載鎖定室，且不向大氣開放反應室，因此能夠實現薄膜沉積的優良再現性。

主要特點和優點

可以在原子層水平上實現均勻的層控制。

可實現高縱橫比結構的共形沉積。

具有優良的平面內均勻性和再現性，實現了穩定的工藝。

采用的反應室結構，優化了原料的氣路和氣體流，抑制了粒子。

通過采用電容耦合等離子體(CCP)系統，使反應室體積最小化，縮短了氣體吹掃時間，加快了一個循環的速度。

應用

氮化膜（AlN、SiN）的形成和低溫形成的氧化膜（AlOx、SiO2）。

電子設備的閘門絕緣子

半導體、有機EL等的鈍化膜。

半導體激光器的反射面

在MEMS等3D結構上的沉積

石墨烯上的沉積

碳納米管保護膜粉末涂層