半導體工藝技術一直在不斷縮小規模并朝著 3D 結構發展，這對薄膜沉積提出了挑戰。Trias  EX-II TiN（氮化鈦）是一種*的 300mm 單晶片沉積系統，適用于高速 ASFD ，可實現具有出色晶片內均勻性和高臺階覆蓋特性的高質量薄膜形成。該系統采用優化的反應器設計和新的氣體注入模塊，即使在的半導體器件制造中也能實現高生產率，并用于各種應用，包括接觸勢壘、電容器電極、字線勢壘和金屬柵極的形成。三重奏EX-II TiN Plus 為復雜結構上的 TiN 保形金屬沉積提供了出色的均勻性。此外，產品陣容中還新增了兩款型號。Trias EX-I TiN Plus HT 專門用于高溫 TiN 沉積，旨在通過降低雜質水平獲得更低的接觸電阻薄膜，而 Trias EX-II  TiON（氧氮化鈦）提供低漏電流 TiON 薄膜沉積可用于 MIM 電容器電極的形成。所有這些型號都具有靈活的設計，最多可以集成四個腔室，并且單個腔室已經優化了清潔技術，以實現高生產率和低 CoC。